2、科技进步方面
到2005年，半导体级单晶硅和硅片、磷化镓、氮化镓等其它化合物半导体材料，外延锗硅材料、绝缘物半导体材料，直拉大直径(6英寸及以上)砷化镓单晶及晶片等，实现中试或形成一定规模的产业。进一步提高多晶硅及单晶硅太阳能电池的转换效率，改进工艺，降低成本。开发更高转换效率的新型太阳能电池品种。
3、拓展新的产业发展领域方面
半导体材料的发展可为半导体器件的发展奠定坚实的基础。在此首先考虑砷化镓高速集成电路、大功率微波器件和组件的规模化生产。锗硅材料的研制成功并实现一定规模的产量，可利用13所现有硅生产线大量生产高频锗硅器件和组件，进一步大幅度提高附加值。各类高频器件的大量生产，还可结合54所COMERC的基带部分(微信号处理)发展高频率资源利用率的无线接入系统，实现产品的超额增值。再可考虑的项目是规模化生产的高反压、大功率电力电子器件，替代进口，使我国的电力电子设备产业获得大踏步发展并大大降低成本。以上各产品，均具有很强的国际市场竞争能力，目前我国还在大量依靠进口，它们的规模化生产，可实现销售额数百亿元。
四、政策及建议
我省具有优势的半导体材料，相当一部分是太阳级硅单晶、多晶材料和发光管材料，不属于集成电路产品，故不能享受国务院国发(2000)18号文件中的有关优惠政策；半导体级材料，虽有很好的技术基础，但也处于起步阶段。为促进我省半导体材料产业基地建设，提出以下建议：
(一)积极落实好《河北省人民政府印发关于加快我省软件产业和集成电路产业发展的若干规定的通知》(冀政[2001]21号文件规定的优惠政策条款，使企业最大限度的享受优惠政策，促进我省半导体材料产业的发展。
(二)最近国家已颁布关于鼓励小水电、太阳能和风能等绿色能源发展的若干政策，我省应抓住这一机遇，根据我省实际，及时制订相应的实施办法，将与太阳能相关的硅单晶、多晶材料包括到享受优惠政策的范围内。
(三)加大政府对半导体材料产业基地建设的资金调控力度，进一步加大省政府调控的“四公司一中心”对半导体材料产业基地建设投资。同时，还可以考虑以河北省金汇科技投资有限公司为依托，争取国家计委拟开设的高技术产业化风险投资入股，建立我省用于支持高技术产业化项目的专项风险投资机构，以加强对相关高技术企业的支持力度。这将对我省高技术产业的发展和产业结构的调整产生重大影响。
(四)加大落实国务院国发(2000)18号文有关优惠政策力度。一是鼓励现有集成电路企业，进一步扩大生产能力，形成规模效益。二是引导现有太阳能级半导体材料企业，积极与重点科研院所、大专院校进行技术合作，建立起牢固的产学研合作，在政策和资金的支持下，大力研究开发集成电路级半导体材料，充分发挥现有优势，为国内集成电路企业提供质优价廉的原材料。
