四、重点任务
（一） 基础研究
解决宽禁带衬底上高效率LED芯片的若干基础科学问题，研 究高密度载流子注入条件下的束缚激子及其复合机制；探索通信 调制功能和LED照明器件相互影响机理。重点研究方向：
1、超高效率氮化物LED芯片基础研究
研究大注入条件下LED的发光机理，建立功率LED器件的基 本物理模型，研制高质量氮化物半导体量子阱材料和超高效率氮 化物LED芯片并完成应用验证，提出提高氮化物LED发光效率的 新概念、新结构、新方法，突破下一代白光LED核心技术。
2、新型微纳结构半导体照明
研究微纳材料和技术对白光LED效率的作用机理，掌握提高 LED量子效率的方法，突破下一代白光照明核心微纳技术。研究 纳米图形衬底的制备原理及对外延材料的影响机理；研究表面等 离子体结构对半导体照明器件量子效率的提升作用；研究微纳结 构的作用机理和出光效率的提升方法。
3、短距离光通信与照明结合的新型LED器件基础研究
重点开展载流子复合通道和寿命的关联性、掺杂机理、电流 通路高速响应机制、外延芯片封装结构对照明及通信质量的调 控、器件级通信质量分析验证、LED芯片与探测器单片集成机理 和工艺、高速短距离光通信单元组件等研究。开展新型LED器件 相关物理问题的研究，研制出通信、照明两用的高速调制的创新型LED通信照明光源。
4、超高效OLED白光器件基础研究
重点开展载流子注入和激子复合机理、金属电极等离子体淬 灭机理及其应对方法、表面等离子局域发光增强机理和方法、出 光提取、新型发光材料和主体材料的设计、蓝色磷光材料的退化 机理、高效长寿命叠层白光OLED器件等研究；力求制备出1000 尼特条件下光效超过120 lm/W的有机白光器件。
（二）前沿技术研究
突破白光LED专利壁垒，光效达到国际同期先进水平；研究 大尺寸Si衬底等白光LED制备技术，加强单芯片白光、紫外发 光二极管（UV-LED）、OLED等新的白光照明技术路线研究；突破 高光效、高可靠、低成本的核心器件产业化技术；提升LED器件 及系统可靠性；实现核心装备和关键配套原材料国产化，提升产 业制造水平与盈利能力。重点研究方向：
1、半导体照明用衬底制备技术研究
大尺寸蓝宝石衬底的制备及图形衬底加工工艺；高质量SiC 单晶的生长、切割和晶片加工技术；GaN同质衬底制备技术，同 质衬底半导体照明外延及器件制备技术；高质量AlN、ZnO等宽 禁带衬底制备关键技术。
2、外延芯片产业化关键技术研究
大尺寸Si、蓝宝石、SiC等衬底的外延生长、器件制备技术； LED器件结构设计和内量子效率提升技术；基于图形衬底的高效LED器件关键技术；垂直结构LED产业化制备技术；高压交/直 流（AC/HV） LED外延、芯片及系统集成技术；高空穴浓度P型 氮化物材料制备技术；高电流密度、大电流LED技术开发；基于 氧化锌透明导电层的高效LED芯片技术；高效绿光LED外延、芯 片技术；高显色指数白光LED用高效红光、黄光LED外延、芯片 技术；结合集成电路工艺的LED芯片级光源技术；多片式MOCVD、 新型多片HVPE （氢化物气相外延）及ICP （等离子刻蚀）等生产 型设备国产化关键技术。
